HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

7月6日消息，难M内I内这一轮内存大涨价归因于AI需求，存换存墙尤其是个方HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，但HBM同样面临着技术限制，向突Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。难M内I内

Intel是存换存墙内存技术起价的，就算40年前退出了内存生产，个方但在技术研发下一直没拉下，向突各种技术标准都少不了Intel的难M内I内推动，在当前的存换存墙HBM内存中Intel话语权不高，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。个方

XBM内存已经不是向突第一次露出苗头了，最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，2024年12月26日申请的存换存墙，公开时间是个方今年7月2日。

根据这个专利，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，包括面积被TSV侵占，面积效率越来越低，布线复杂，功耗越来越高，未来难以为继。

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、一个电容（1T1C）、后端动态随机存取存储器（DRAM）。

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，现在把它做到后端金属层中，面积效率大增，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。

最终做出来的XBM内存面积效率高，功耗更低，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，结合里面提到的参数来推测，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、容量，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，届时会有HBM5、HBM6，单论技术指标应该不占优势了。

总的来说，XBM不太可能直接取代HBM内存，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，现在说技术好不好还太早，等过几年有产品了再看。