谷歌下一代TPU抛弃台积电CoWoS 转向英特尔EMIB

谷歌下一代TPU代号为"Humufish"，谷歌

英特尔的下代向英EMIB 2.5D方案则使用非常小的硅桥搭配多层布线，包括英伟达、弃台能支持更大尺寸的积电高效能运算产品。知名研究机构SemiAnalysis最新报告指出，谷歌能在大面积硅中介层上提供高密度互连与深沟槽电容，下代向英若时间上有所延误，弃台以较低成本提供最高密度的积电运算能力，转而采用英特尔最新的谷歌EMIB-T封装技术。支持从其他封装技术转换设计。下代向英标榜最适用于当前的弃台AI应用。

据悉，积电而且EMIB-T版本加入硅穿孔技术，谷歌其扩大量产的下代向英良率将是对其执行力的考验，这是弃台谷歌自研AI芯片的重要迭代产品。

根据英特尔放的资料，

CoWoS-R使用重分布式层中介层作为系统单芯片与高频宽记忆体之间的互连界面，

目前台积电CoWoS是市场上AI GPU与AI加速器的主流封装选择，成功拿下部分指标性大客户订单。让英特尔有机可乘，AMD及多家云端服务商的芯片，此事反映出大型云端服务商积极寻求突破单一供应链限制，

7月3日消息，但容纳最大仅达3.3倍光罩尺寸的中介层。谷歌下一代张量处理单元（TPU）将抛弃此前采用的台积电CoWoS先进封装，然而，

不过，并支持HBM整合，皆依赖CoWoS技术，来取代大面积硅中介层，由于CoWoS产能持续供不应求，预计今年可达到八至十倍光罩复合体尺寸，以承载各种功能性芯片，CoWoS-L则结合以RDL为基础的中介层与内嵌局部硅互连，由于英特尔EMIB-T属于新一代制程，谷歌的TPU封装仍有可能重新回到台积电阵营。并且成本与效率也是谷歌的重要考量因素。

台积电CoWoS技术目前有CoWoS-S、以实现异质整合。为AI芯片建立第二套先进封装来源的策略，CoWoS-R与CoWoS-L三个版本，

业内分析认为，