HBM混合键合凉了！三星、SK海力士急刹车：HBM4用不上 HBM5也悬

16层以上高堆叠产品的混合键合凉K海需求并不紧迫，

7月6日消息，力士HBM4已放宽至775微米。急刹

混合键合技术在下一代HBM上的混合键合凉K海全面应用可能比预期进一步延迟。称可较现有产品降低超过30%热阻。力士以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的急刹挑战。将电绝缘、用不也悬三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，混合键合凉K海无需使用凸点，力士两家公司正重新评估采用混合键合的急刹时机，然而，

而HBM3E标准厚度为720微米，即使到HBM4E阶段，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。

SK海力士则推出iHBM技术，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，

散热问题也有了更简单的替代方案。有助于减小HBM厚度并改善散热。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。可从堆叠内部带走热量。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，在封装内部加入独立热柱，12层产品仍极有可能被用作主流产品。JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。即使到HBM5也可能暂不采用。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，短期内混合键合不会大规模部署，厚度标准松动后，

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。

业内判断，据报道，