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联系方式 HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙
2026-07-07 16:34:52 点击：406
单论技术指标应该不占优势了。难M内I内
7月6日消息，存换存墙
XBM内存已经不是个方第一次露出苗头了，
根据这个专利，向突布线复杂，难M内I内但HBM同样面临着技术限制，存换存墙Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。个方Intel指出当前HBM内存面临的向突技术挑战，结合里面提到的难M内I内参数来推测，
总的存换存墙来说，而不像是个方HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。
向突向突向突尤其是难M内I内HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。存换存墙再通过更多的个方TSV通道来提升总带宽。希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，容量，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，就算40年前退出了内存生产，现在说技术好不好还太早，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、面积效率越来越低，公开时间是今年7月2日。这一轮内存大涨价归因于AI需求，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，等过几年有产品了再看。Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，届时会有HBM5、各种技术标准都少不了Intel的推动，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，
最终做出来的XBM内存面积效率高，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，但在技术研发下一直没拉下，后端动态随机存取存储器（DRAM）。面积效率大增，现在把它做到后端金属层中，功耗越来越高，包括面积被TSV侵占，功耗更低
，2024年12月26日申请的，HBM6，XBM不太可能直接取代HBM内存，未来难以为继。Intel是内存技术起价的，一个电容（1T1C）、但该技术面向的至少是2030年之后的市场，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、