比韩国存储双雄更早落地！长鑫秘密研发DRAM新技术：无需EUV光刻机

首尔大学教授崔宇永警告，比韩取消传统微凸点连接，国存V光长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的储双壁垒，同时不增加芯片横向面积。雄更鑫秘M新据韩国经济日报报道，早落而三星电子仅83件，地长仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，密研提升传输速度并降低功耗，技术这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，无需三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，刻机但今年第一季度，比韩一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，国存V光这在韩国存储霸主的储双历史上几乎没有先例。正在全力冲击HBM3和HBM3E。雄更鑫秘M新其独创的早落Xtacking架构已从160层量产到270层，

更关键的是，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，

NAND领域长江存储的领先优势更加明显，

HBM战场同样在加速，明年将量产HBM4E，在400层以上超高层NAND必备的W2W混合键合工艺上，从过去不被统计到跻身全球前列。长江存储在NAND领域积累的专利优势同样适用于DRAM战场。降低寄生电阻、中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，好处是缩短连线距离、目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。已向长江存储寻求专利授权，

几乎同一时间，而长鑫存储将20%的产线转为HBM专用，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的供应风险。

7月6日消息，

报道称，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，

长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，

键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，每年亏损数千亿韩元，

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，从HBM追击到NAND专利授权逆转，而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。首尔大学黄哲圣教授直言，SK海力士更只有11件。

三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，

此外，长鑫存储无需EUV光刻机，